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release time:2022-03-17Author source:SlkorBrowse:3155
最近,国产SiC衬底又有新进展——同光晶体成功制备了无微管缺陷的6英寸SiC单晶,“更适合制作高压、特高压功率器件”。
据介绍,同光晶体采用了改进型PVT生长设计方案,其6英寸SiC晶片无任何的应力斑出现,晶格基平面弯曲较小,其(004)衍射指数的平均半峰宽低至19弧秒,电阻率分布均匀。
该成果刊登在《硅酸盐学报》2021年4月刊,投稿时间为2020年7月。创新生长工艺
解决微管缺陷难题
业界经过近30年的努力,已经可以成熟制备无微管缺陷的2-4英寸4H-SiC单晶材料, 但6英寸4H-SiC单晶还存在一定的难度。 同光晶体认为,制备无微管缺陷的6英寸SiC单晶,应当避免多型的产生,而他们的方法是对物理气相传输(PVT)法进行改良。 据介绍,在常规生长装配条件下,生长组分流的方向部分与生长台阶流方向同向,部分与台阶流方向相向。而同光晶体的改进方案采用了引流装配或非对称温场设计,在生长过程中,生长组分流的方向几乎都与台阶流的方向相向。性能优异
满足功率器件需求
根据论文,该衬底晶片的 Raman光谱检测扫描结果显示,整个6英寸晶片全为单一的4H-SiC晶型。
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