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release time:2022-03-17Author source:SlkorBrowse:4782
意法半导体(ST)11 日宣布,瑞典Norrköping 工厂制造出首批8 吋(200mm)碳化硅(SiC)晶圆;将SiC 晶圆升级到8 吋代表ST 对汽车和工业客户的扩产计划获得阶段性成功,且提升功率电子芯片轻量化和能效,并降低客户获取产品成本。
意法半导体汽车和离散元件产品部总裁Marco Monti表示,汽车和工业市场正在加速推动系统和产品电气化的进程,升级到8 吋SiC 晶圆将为ST 的汽车和工业客户带来巨大优势;藉由覆盖在SiC 生态系统领域累积的深厚专业知识,可提升ST 的制造弹性,还能更有效地控制晶圆良率和改善品质。
ST 先进的量产碳化硅STPOWER SiC 目前由意大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥两家6 吋晶圆厂完成前段制程制造,后段制程制造则在中国深圳和摩洛哥布斯库拉的两家封测厂进行。这个阶段性的成功是ST 布局更先进、高成本效益之8 吋SiC量产计划的一部分;ST 正在执行新建碳化硅基板厂和内部采购碳化硅基板比重超过40% 的计划(到2024 年)。
据悉,ST 首批8 吋SiC 晶圆品质十分优良,对芯片良率和晶体位元错误之缺陷非常低。低缺陷率归功于ST 碳化硅公司(前身为Norstel,2019年被ST 收购)在SiC 硅锭生长技术深厚积累的研发技术。除了晶圆能满足严格的品质标准,升级到8 吋SiC 晶圆还需要对制造设备和支援生态系统的升级,ST 正与供应链上下游技术厂商合作研发专属的制造设备和生产制程。
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